b) hybridní integrované obvody, v nichž jsou pasivní prvky (rezistory, kondenzátory, vnitřní propojení atd.), vytvořené technologií tence nebo silně vrstvených obvodů, a aktivní prvky (diody, tranzistory' monolitické integrované obvody atd.), vytvořené polovodičovou technologií, spojeny prakticky neoddělitelně na jednom izolačním podkladě (sklo, keramická hmota atd.). Tyto obvody mohou také obsahovat diskrétní (jednotlivé) komponenty;