B) „elektronické integrované obvody a mikrosestavy“ jsou:

a) monolitické integrované obvody, v nichž jsou jednotlivé prvky obvodu (diody, tranzistory, rezistory, kondenzátory, vnitřní propojení atd.) vytvořeny ve hmotě (převážně) a na povrchu polovodičového materiálu (například dopovaného křemíku) a jsou spolu neoddělitelně spojeny;

b) hybridní integrované obvody, v nichž jsou pasivní prvky (rezistory, kondenzátory, vnitřní propojení atd.), vytvořené technologií tence nebo silně vrstvených obvodů, a aktivní prvky (diody, tranzistory, monolitické integrované obvody atd), vytvořené polovodičovou technologií, spojeny prakticky neoddělitelně na jednom izolačním podkladě (sklo, keramická hmota atd.). Tyto obvody mohou také obsahovat diskrétní (jednotlivé) komponenty;

c) mikrosestavy lisovaných modulů, mikromoduly nebo podobné typy, sestávající z diskrétních, aktivních nebo jak aktivních, tak i pasivních komponentů, které jsou vzájemně kombinovány a vzájemně propojeny.