3E003 Jiné „technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“:

a. Vakuových mikroelektronických součástek;

b. Heterostrukturních polovodičových součástek jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT) součástky využívající kvantových jevů (quantum well) a součástky se supermřížkami;

c. „Supravodivých“ elektronických součástek;

d. „Podložek“ z diamantových vrstev pro elektronické součástky;

e. Křemíkových „podložek“ s izolátorem pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;

f. „Podložek“ z karbidu křemíku pro elektronické součástky;

g. Vakuových elektronek pracujících při kmitočtu 31 GHz nebo vyšším.