1. Plynové odstředivky;
1. Zařízení pro přeměnu polymerních vláken (jako například polyakrylonitrilových, viskózových nebo polykarbosilanových) včetně zařízení pro napínání vlákna během ohřevu;
1. nerezové oceli řady 300 s nízkým obsahem síry a austenitickým ASTM (nebo ekvivalentní normou) číslem zrnitosti 5 nebo větším; nebo
1. Pro koncentrované roztoky amidu draselného (1% nebo více) provozní tlak 1,5 MPa až 60 MPa;
1. Složení minimálně 75 % hmotnostních železa, kobaltu nebo niklu;
1. Dibromtetrafluorethanu;
1. Si-N;
1. Poly(etheretherketon) (PEEK);
1. „Měrný modul“ přesahující 2,54 x 106 m; a
1. Butacen;
1. Bacillus anthracis;
1. Základní materiály mající všechny dále uvedené vlastnosti:
1. Materiály s magnetickou indukcí 2,0 T nebo větší a mezí kluzu průsečnosti větší než 414 MPa;
1. Objem mezi 50 cm3 a 2000 cm3;
1. a. Přesnost nastavení polohy při „všech dostupných kompenzacích“ 3 μm nebo lepší podle ČSN ISO 230/2 (1999) podél kterékoliv lineární osy; a
1. „Laserový“ systém k řízení výšky hladiny kapaliny, který přesně reguluje rychlost podávání ingotů; nebo
1. Pro každou jednotlivou osu všechny dále uvedené charakteristiky:
1. Vnitřní průměr mezi 75 mm a 400 mm;
1. Slitiny s více než 25 % hmotnostních niklu a 20 % hmotnostních chromu;
1. Průtokovou rychlost přesahující 100 l/hod;
1. Kovových prášků, které se mají nanést (obvykle hliník, chrom, křemík nebo jejich kombinace);
1. Zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou (tj. zařízení na „zpracování signálu“ používající akusticko-mechanických vibrací (elastických vln) v materiálech, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:
1. „Analyzátory signálu“ schopné analyzovat kmitočty přesahující 31 GHz;
1. a. Urychlovače mající maximum energie elektronů 500 ke V nebo větší, avšak menší než 25 MeV; a
1. Špičkové anodové napětí větší než 2 kV;
1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Některé z dále uvedených složení:
a. Schopnost otáčení 400 °/s nebo větší nebo 30 7s nebo menší; a
a. Nosný kmitočet větší než 2,5 GHz;
a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

1. Jednoduché nebo komplexní oxidy zirkonia a komplexní oxidy křemíku nebo hliníku;

2. Jednoduché nitridy boru (krychlové krystalické formy);

3. Jednoduché nebo komplexní karbidy křemíku nebo boru; nebo

4. Jednoduché nebo komplexní nitridy křemíku;

b. Celkový obsah nečistot, kromě záměrných přísad, menší než:
b. Tři nebo více os, které mohou být řízeny současně za účelem „interpolace tvaru“; nebo
b. Rozlišovací schopnost otáčení 6 °/s nebo lepší a s přesností 0,6 °/s nebo lepší;
b. Nosný kmitočet přesahující 1 GHz, ale nepřesahující 2,5 GHz a mající některou z dále uvedených charakteristik:
b. S ’účinností’ (K) 0,25 nebo vyšší; nebo
b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);

1. 1000 ppm u jednoduchých oxidů nebo karbidů; nebo
1. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB;

2. 5000 ppm u komplexních sloučenin nebo jednoduchých nitridů; a
2. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v mikrosekundách a šířka pásma v MHz) větší než 100;

3. Šířka pásma větší než 250 MHz; nebo

4. Disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo

c. Mající některou z následujících charakteristik:
c. Nosný kmitočet 1 GHz nebo nižší s některou z dále uvedených charakteristik:

1. Průměrnou velikost částic oxidu zirkoničitého 1 (μm nebo menší, přičemž obsah částic větších než 5 μm nepřesahuje 10 %; nebo
1. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v mikrosekundách a šířka pásma v MHz) větší než 100;

2. Průměrnou velikost částic ostatních základních materiálů 5 μm nebo menší, přičemž obsah částic větších než 10 μm nepřesahuje 10 %;
2. Disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo

3. Mající všechny tyto charakteristiky:
3. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB a šířku pásma větší než 50 MHz;

a. Destičky s poměrem délky k tloušťce přesahujícím 5;

b. Whiskery s poměrem délky k průměru větším než 10 u průměrů menších než 2μm; a

c. kontinuální nebo sekaná vlákna s průměrem menším než 10 μm;