f. Kovové zirkonium a jeho slitiny ve formě trubek a montážních celků trubek, v nichž je hmotnostní poměr hafnia ku zirkoniu menší než 1 : 500, speciálně konstruované nebo upravené pro použití v „jaderném reaktoru“;
f. Zařízení a součásti, speciálně konstruované nebo upravené pro separační proces na bázi výměny iontů:
f. 1. Vakuové rozdělovače a sběrné komory pro sací množství 5m³/min a více; nebo
f. Systémy pro konverzi UF₄ na kovový uran;
f. Provozní řídicí a regulační technika speciálně konstruovaná nebo upravená pro sledování nebo řízení přepracování vyhořelého „přírodního uranu“, „ochuzeného uranu“ nebo „zvláštních štěpných materiálů“,
f. Zařízení pro nedestruktivní zkoušení, které je schopné trojrozměrné detekce vad při použití ultrazvukové nebo rentgenové tomografie, a které je speciálně konstruované pro „kompozitní“ materiály.
f. „Kompozitní“ materiály typu keramika-keramika s oxidovou nebo skleněnou „matricí“ vyztuženou spojitými vlákny z některého z dále uvedených materiálů:
f. Poly(bifenylenethersulfon).
Technická poznámka:
Teplota skelného přechodu (T_g) pro materiály uvedené v 1C008 se určuje metodou popsanou v ASTM D 3418 při použití suché metody.
f. „Technologie“ pro opravy „kompozitních“ konstrukcí, laminátů nebo materiálů uvedených v 1A002, 1C007.c. nebo 1C007.d.
Poznámka: 1E002.f. nekontroluje „technologii“ pro opravy konstrukcí „civilních letadel“ s uhlíkatých „vláknitých materiálů“ a epoxidových pryskyřic uvedenou v příručkách výrobců letadel.
f. Vrtačky na hluboké díry a soustružnické stroje upravené pro vrtání hlubokých děr, se schopností maximální hloubky vrtání přesahující 5000 mm a jejich speciálně konstruované součásti.
f. Provozní zařízení „řízené uloženým programem“ pro nanášení v katodickém oblouku a obsahující síť elektromagnetů pro řízení obloukového bodu na katodě;
f. Dálkově ovládaná plnicí zařízení, jejichž všechny povrchy, které přicházejí do přímého styku se zpracovávanými chemikáliemi, jsou vyrobeny z některého z dále uvedených materiálů:
f. Zařízení, které je zabudováno nebo uloženo v ochranném obalu úrovně P3 nebo P4:
f. „Technologie“ pro aplikaci anorganických krycích povlaků nebo povlaků pro modifikaci anorganického povrchu, (uvedené ve sloupci 3 dále uvedené tabulky) na podkladové substráty jiné než elektronické (uvedené ve sloupci 2 dále uvedené tabulky) prostřednictvím nanášecích procesů uvedených ve sloupci 1 dále uvedené tabulky a definovaných v Technické poznámce.
f. Naprašování je proces tvorby krycího povlaku založený na jevu přenosu pohybové energie, při němž se v elektrickém poli urychlují kladné ionty směrem k povrchu terče (povlakový materiál). Kinetická energie dopadajících iontů postačuje k tomu, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát.
POZN. 1.: Tabulka se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů.
POZN.2.: Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (pod 5 keV).
f. Snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají některou z dále uvedených charakteristik:
f. Mikrovlnné zkušební přijímače, které mají obě dále uvedené charakteristiky:
f. Hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, konstruované pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.
f. Litografická zařízení „řízená uloženým programem“, jak jsou dále uvedena:
f. Podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;
f. Zařízení pro „zpracování signálů“.

1. Pryskyřičné měniče iontů s rychlou reakcí, blánovité nebo porézní síťované pryskyřice, v nichž jsou aktivní skupiny chemické výměny omezeny na povlak na povrchu neaktivní porézní nosné látky, a jiné kompozitní látky ve vhodné podobě, včetně částic nebo vláken s průměrem 0,2 mm nebo menším, odolné vůči koncentrované kyselině chlorovodíkové, navržené pro poločas výměny méně než 10 s a schopné pracovat při teplotách v rozsahu 373 K (100 °C) až 473 K (200 °C);
1. Al₂O₃; nebo
1. Slitiny s více než 25 % hmotnostních niklu a 20 % hmotnostních chromu; nebo
1. Nezávisle větrané poloviční nebo úplné ochranné obleky;
1. Rozlišení lepší než 1/265000 (rozlišení 18 bitů) z celého rozsahu stupnice; nebo
1. Maximální pracovní kmitočet větší než 40 GHz; a
1. Nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací (scanner) zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z dále uvedených charakteristik:
kde K faktor = 0,7
MRF = velikost nejmenšího rozlišitelného prvku

a. Vlnovou délku světelného zdroje kratší než 350 nm; nebo

b. Schopnost exponovat obrazce s velikostí ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ 0,5 μm nebo menší;
Technická poznámka:
Velikost ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ se vypočítává podle následujícího vzorce:
$MRF=\frac{lambdaxK}{na}$

2. Válcové kolony pro iontovou výměnu s průměrem větším než 1000 mm vyrobené z materiálu odolného vůči koncentrované kyselině chlorovodíkové (např. titan nebo fluorouhlíkové plasty) a schopné pracovat při teplotách v rozmezí 373 K (100 °C) až 473 K (200 °C) a tlaku vyšším než 0,7 MPa;
2. Vakuové vývěvy speciálně konstruované pro práci v atmosféře obsahující UF₆;
2. Si-C-N.
Poznámka: 1C007.f. nekontroluje „kompozity“ obsahující vlákna z těchto systémů s pevností v tahu vlákna menší než 700 MPa při 1273 K (1000 °C) nebo odolností proti tečení vlákna v tahu větší než 1 % napětí na mezi tečení při 100 MPa zatížení a 1273 K (1000 °C) za 100 hodin.
2. Nikl nebo slitiny s více než 40 % hmotnostních niklu;
2. Biologické bezpečnostní skříně nebo izolátory třídy III s podobnými výkonnostními normami:
Poznámka: Ve 2B352.f.2. izolátory zahrnují i pružné izolátory, sušicí boxy, anaerobní komory a rukávové boxy.
2. Přesnost lepší než ±2,5 úhlové vteřiny.
2. Schopnost měřit současně amplitudu a fázi;
2. Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Stopu paprsku menší než 0,2 μm;

b. Jsou schopna vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm; nebo

c. Mají přesnost překrytí lepší než ± 0,20 μm (3 σ);

3. Refluxní systémy iontové výměny (systémy pro chemickou nebo elektrochemickou oxidaci nebo redukci) pro regeneraci redukčních nebo oxidačních činidel používaných v kaskádách pro separační proces na bázi výměny iontů;