a. Zařízení pro epitaxiální růst krystalů „řízená uloženým programem“:

1. Schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více;

2. Reaktory pro chemickou depozici par z organokovů (MOCVD) speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály specifikovanými v 3C003 nebo 3C004;

3. Zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;