3B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení

3B001 Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů, jak jsou dále uvedeny a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:

a. Zařízení pro epitaxiální růst krystalů „řízená uloženým programem“:

1. Schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více;

2. Reaktory pro chemickou depozici par z organokovů (MOCVD) speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály specifikovanými v 3C003 nebo 3C004;

3. Zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;

b. Zařízení „řízená uloženým programem“ konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

1. Urychlují napětí větší než 1 MeV;

2. Jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV;

3. Schopnost přímého zápisu; nebo

4. Schopná implantace kyslíku při vysokých energiích do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu;

c. Plazmatická zařízení pro anizotropní leptání za sucha, „řízená uloženým programem“:

1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Navržena nebo optimalizována pro vytvoření kritických rozměrů 0,3 μm nebo menších s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo

b. Navržena pro generování méně než 0,04 částic/cm² s měřitelným rozměrem částice větším než 0,1 μm v průměru;

2. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e., a která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Navržena nebo optimalizována pro vytvoření kritických rozměrů 0,3 μm nebo menších s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo

b. Navržena pro generování méně než 0,04 částic/cm² s měřitelným rozměrem částice větším než 0,1 μm v průměru;

d. Zařízení pro chemické nanášení v parní fázi (CVD) za podpory plazmatu „řízená uloženým programem“:

1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Navržena podle specifikací výrobce nebo optimalizována pro vytvoření kritických rozměrů 0,3 μm nebo menších s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo

b. Navržena pro generování méně než 0,04 částic/cm² s měřitelným rozměrem částice větším než 0,1 μm v průměru;

2. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e. a která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Navržena podle specifikací výrobce nebo optimalizována pro vytvoření kritických rozměrů 0,3 μm nebo menších s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo

b. Navržena pro generování méně než 0,04 částic/cm² s měřitelným rozměrem částice větším než 0,1 μm v průměru;

e. Vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním „řízené uloženým programem“, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Poznámka: 3B001.e. nekontroluje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí.

1. Prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů; a

2. Jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuovém prostředí pro sekvenční zpracování mnoha destiček;

f. Litografická zařízení „řízená uloženým programem“:

1. Nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Vlnovou délku světelného zdroje kratší než 350 nm; nebo

b. Schopnost exponovat obrazce s velikostí 'nejmenšího rozlišitelného prvku' 0,35 μm nebo menší;
Technická poznámka:
Velikost 'nejmenšího rozlišitelného prvku' se vypočítává podle následujícího vzorce:
$MRF=\frac{vlnovádélkasvětelnéhozdrojevmikrometrech\times K}{číselnáapertura}$
kde K faktor = 0,7
MRF = velikost nejmenšího rozlišitelného prvku

2. Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Stopu paprsku menší než 0,2 μm;

b. Jsou schopna vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm; nebo

c. Mají přesnost překrytí lepší než ± 0,20 μm (3 σ);

g. Masky a optické mřížky konstruované pro integrované obvody specifikované ve 3A001;

h. Vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu.

3B002 Zkušební zařízení „řízená uloženým programem“, speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek dále uvedených a speciálně konstruované součásti a příslušenství pro ně:

a. Pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při kmitočtech větších než 31 GHz;

b. Pro zkoušení integrovaných obvodů, která jsou schopna provádět funkční zkoušení podle pravdivostní tabulky při 'rychlosti testovacích vzorků' větší než 333 MHz;
Poznámka: 3B002.b. nekontroluje zkušební zařízení speciálně konstruované pro zkoušení:
Technická poznámka:
Pro účely této položky je 'rychlost vzorku' definována jako maximální možná frekvence v číslicové operaci zkoušeče. Je proto ekvivalentem nejvýše možné rychlosti dat, kterou zkoušeč může poskytnout. Vztahuje se také na rychlost zkoušení, maximální číslicovou frekvenci nebo maximální číslicovou rychlost.

1. „Elektronických sestav“ nebo řad „elektronických sestav“ pro použití v domácnosti nebo zařízeních pro zábavu;

2. Nekontrolovaných elektronických součástek, „elektronických sestav“ nebo integrovaných obvodů;

3. Paměti.

c. Pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů specifikovaných v 3A001.b.2.