2. Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Stopu paprsku menší než 0,2 μm;

b. Jsou schopna vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm; nebo

c. Mají přesnost překrytí lepší než ± 0,20 μm (3 σ);