3B001 Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů, jak jsou dále uvedeny a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:

a. Zařízení pro epitaxiální růst krystalů „řízená uloženým programem“:

1. Schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více;

2. Reaktory pro chemickou depozici par z organokovů (MOCVD) speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály specifikovanými v 3C003 nebo 3C004;

3. Zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;

b. Zařízení „řízená uloženým programem“ konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

1. Urychlují napětí větší než 1 MeV;

2. Jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 keV;

3. Schopnost přímého zápisu; nebo

4. Schopná implantace kyslíku při vysokých energiích do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu;

c. Plazmatická zařízení pro anizotropní leptání za sucha, „řízená uloženým programem“:

1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Navržena nebo optimalizována pro vytvoření kritických rozměrů 0,3 μm nebo menších s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo

b. Navržena pro generování méně než 0,04 částic/cm² s měřitelným rozměrem částice větším než 0,1 μm v průměru;

2. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e., a která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Navržena nebo optimalizována pro vytvoření kritických rozměrů 0,3 μm nebo menších s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo

b. Navržena pro generování méně než 0,04 částic/cm² s měřitelným rozměrem částice větším než 0,1 μm v průměru;

d. Zařízení pro chemické nanášení v parní fázi (CVD) za podpory plazmatu „řízená uloženým programem“:

1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Navržena podle specifikací výrobce nebo optimalizována pro vytvoření kritických rozměrů 0,3 μm nebo menších s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo

b. Navržena pro generování méně než 0,04 částic/cm² s měřitelným rozměrem částice větším než 0,1 μm v průměru;

2. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e. a která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Navržena podle specifikací výrobce nebo optimalizována pro vytvoření kritických rozměrů 0,3 μm nebo menších s přesností ± 5 % 3 sigma; nebo

b. Navržena pro generování méně než 0,04 částic/cm² s měřitelným rozměrem částice větším než 0,1 μm v průměru;

e. Vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním „řízené uloženým programem“, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:
Poznámka: 3B001.e. nekontroluje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí.

1. Prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů; a

2. Jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuovém prostředí pro sekvenční zpracování mnoha destiček;

f. Litografická zařízení „řízená uloženým programem“:

1. Nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Vlnovou délku světelného zdroje kratší než 350 nm; nebo

b. Schopnost exponovat obrazce s velikostí 'nejmenšího rozlišitelného prvku' 0,35 μm nebo menší;
Technická poznámka:
Velikost 'nejmenšího rozlišitelného prvku' se vypočítává podle následujícího vzorce:
$MRF=\frac{vlnovádélkasvětelnéhozdrojevmikrometrech\times K}{číselnáapertura}$
kde K faktor = 0,7
MRF = velikost nejmenšího rozlišitelného prvku

2. Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Stopu paprsku menší než 0,2 μm;

b. Jsou schopna vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm; nebo

c. Mají přesnost překrytí lepší než ± 0,20 μm (3 σ);

g. Masky a optické mřížky konstruované pro integrované obvody specifikované ve 3A001;

h. Vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu.